Descrição
Características Técnicas
Tipo de memória: EEPROM série não volátil
Capacidade: 1 Kbit (64 × 16 bits) ou 1 Kbit (128 × 8 bits)
Interface de comunicação: Microwire (CS, SK, DI, DO)
Tensão de alimentação típica: 5V
Retenção de dados: até 10 anos
Ciclos de escrita/apagamento: ≥ 1.000.000
Tempo típico de escrita: 5 ms
Organização selecionável via pino ORG
Encapsulamento comum: DIP-8 / SOIC-8
Gama de temperatura de operação: 0°C a +70°C
Principais Aplicações
Armazenamento de parâmetros de configuração
Gravação de números de série e identificação de equipamentos
Dados de calibração em sistemas industriais
Equipamentos eletrónicos de consumo
Microcontroladores e sistemas embebidos
Projetos educativos e protótipos digitais
Vantagens
Memória não volátil com elevada retenção de dados
Interface simples e compatível com múltiplos microcontroladores
Baixo consumo energético
Elevada durabilidade com grande número de ciclos de escrita
Flexibilidade de organização (8 ou 16 bits)
Encapsulamento compacto para fácil integração em PCB
